集成电路布图设计领域中的反向工程

  一、反向工程的意义
  
  反向工程集成电路领域里一般是指对他人布图设计进行研究、分析、评价,并在此基础上设计出自己的具有一定独创性的布图设计的过程。
  
  在集成电路领域允许进行反向工程,一是有技术上的原因。因为现在的集成电路都不可能独自发挥作用,每个人设计的集成电路要和其他人的集成电路相结合才能发挥应有的作用,所以,必然要求社会上每个人设计的集成电路要彼此互相兼容,所以,必然要求进行反向工程,以了解他人的布图设计,并设计出能与他人设计出的集成电路相互兼容的集成电路,如果不允许反向工程,显然兼容性是很难做到的,不利于社会技术的发展。二是反向工程也有利于社会资源的节约。
  
  因为进行反向工程就可以发现他人已经进行的研究,不必要进行重复研究,以节约社会资源。三是反向工程更有利于社会技术的快速进步。因为反向工程就是在他人已有的研究成果上再加上反向工程人自己的一些研究成果,就成了反向工程人自己的合法的受法律保护的布图设计,每个人一点点的技术进步,累加起来,就是巨大的进步。
  
  我们知道,虽然日本半导体芯片起步比美国要晚 5 年,但是日本由于前期对美国先进的半导体芯片进行大量仿制,大量分析美国的先进的芯片,并进行适当创新,使得日本的半导体芯片技术突飞猛进。据统计,截止 1989 年底,日本生产的集成电路产品占世界总产量的 51.3%,美国反而屈居第二占 35.5%。在国际市场上,日本产品占 39.8%,美国产品占 31.5%。此时,日本的半导体芯片产品在世界上超过美国,将近占了世界的半导体产量的一半以上。试想,如果日本不是通过反向工程,其半导体技术不可能短期超过美国,甚至在相当长的时间内也超不过美国。
  
  因此,反向工程尤其对中国这样的技术相对发达国家比较落后的发展中国家尤其重要。但是我们也不能无原则无限制的使用反向工程,我们应对反向工程进行合理限制,而限制的重点就是给出对什么是反向工程,什么是复制侵权进行符合我国国情而我国和国外又都能普遍接受的准确界定标准就显得尤为重要。
  
  二、国外立法对反向工程的规定
  
  美国《半导体芯片保护法》(Semiconductor Chip Protection Act of 1984)对反向工程的规定是:(1)单纯为了教学、分析或鉴定结合在掩膜作品中的技术概念、或者掩膜作品中使用的电路、逻辑流程、元件组成的目的而复制掩膜作品,不视为侵权。(2)把上述分析、鉴定的结果应用到一个新的具有独创性的掩膜作品中进行制造、分销,也不视为侵权。
  
  日本于 1985 年 5 月 31 日通过了《集成电路的电路布局法》,是世界上第二个通过专门立法保护集成电路布图设计的国家。该法对反向工程的规定是:电路布局使用权的效力不应扩展到为分析或评价的目的而采用登录的电路布局来制作半导体集成电路的行为。
  
  欧洲共同体《关于半导体产品布图设计法律保护的理事会指令》(87/54/EEC)对反向工程的规定是:…(3)第 l 款所指的专有权不能适用于为分析、评价、或教学拓扑图中所含的概念、过程、系统、技术或拓扑图本身目的而制作的复制品。(4)第 l 款中所指的专有权不能延及与一满足受保护要求且是在根据第项所指的分析、评价另一拓扑图基础上制作的拓扑图有关行为…。
  
  韩国《半导体集成电路布图设计法》第 9 条(关于布图设计权的效力不延及的范围)第 1 款第 2 项对反向工程的规定是:布图设计作为研究、评价、分析所产生的结果,并且该布图设计具有原创性。
  
  中国香港《集成电路的布图设计(拓扑图)条例》第 5 条(非侵犯权利的作为)第(d)项对反向工程的规定是:利用对布图设计(拓扑图)的评价、分析或研究结果而创作另一不同的布图设计(拓扑图),而该另一布图设计(拓扑图)将会是受保护的布图设计(拓扑图)。而在该《条例》的第 3 条第 1 款第(a)项中对受保护的布图设计的定义是具有原创性。
  
  《关于集成电路知识产权的条约》(Treaty on Intellectual Property in Respect of Integrated Circuits)(简称华盛顿条约)(目前没有生效)对反向工程的规定是:“(B)本款(A)项所述的第三者在评或分析受保护的布图设计(拓朴图)(‘第一布图设计(拓朴图)’)的基础上,创作符合第三条第(二)款规定的原创性条件的布图设计(拓朴图)(‘第二布图设计(拓朴图)’)的,该第三者可以在集成电路中采用第二布图设计(拓朴图),或者对第二布图设计(拓朴图)进行第(一)款所述的行为,而不视为侵犯第一布图设计(拓朴图)权利持有人的权利”。
  
  根据《与贸易有关的知识产权协议,关于集成电路的布图设计的规定》第35 条、《北美自由贸易协定中有关集成电路法律保护的规定》第 1710 条知道这两个协定有关反向工程的规定与《华盛顿条约》的规定是一致的。
  
  三、我国对反向工程的立法规定
  
  由于我国在进入 21 世纪时,集成电路产业得到了迅猛的发展,一方面为了保护我国集成电路产业的健康发展;另一方面也鉴于国际上的压力,因为在 20世纪末期,国际上的很多著名的集成电路生产公司都将其产品销往中国,迫切要求我国政府对其产品的集成电路提供法律保护,它们纷纷向其各自政府施压,要求其政府向中国政府施压立法保护它们在中国的集成电路产品;最后也是中国加入世界贸易组织的义务需求,中国政府在 2001 年 3 月 28 日通过了《中华人民共和国集成电路保护条例》,同年 10 月 1 日施行。
  
  该《条例》第 23 条规定:“下列行为可以不经布图设计权利人许可,不向其支付报酬:(一)为个人目的或者单纯为评价、分析、研究、教学等目的而复制受保护的布图设计的;(二)在依据前项评价、分析受保护的布图设计的基础上,创作出具有独创性的布图设计的;(三)对自己独立创作的与他人相同的布图设计进行复制或者将其投入商业利用的。”其中第(二)项就是对反向工程的规。由规定可知,我国对反向工程的规定是很原则的,操作性不强,有待进一步完善。
  
  四、对我国及国外对反向工程立法规定的总结
  
  由上述的大量引用我们可以知道,不管在哪个国家、地区、或国际条约里都把反向工程视为是侵权的例外,也就是说,反向工程是复制侵权的合法的抗辩事由。反向工程成为合法抗辩事由并不是各国不约而同的突发奇想,而是有各种原因的。在著作权法中,是不允许进行反向工程的,在著作权法中,可以为了文章需要少量复制他人文章,但一般是不允许大量复制或全部复制,而自己只进行少量修改而成为自己文章的,但是在集成电路领域里,允许部分或全部复制他人布图设计,然后再加上自己的创作就可以成为自己的可以受到法律保护的布图设计。
  
  另外,我们也可以发现,虽然各国、地区、国际条约都规定了反向工程的合法性,但是,对反向工程应达到的标准也提出了一定的要求。虽然,各国、地区、国际条约对此所用术语不一致,如美国、中国规定反向工程布图设计应具有“独创性”;华盛顿条约、TRIPS 协定、北美自由协定、韩国、香港规定反向工程布图设计应具有“原创性”;日本、欧共体理事会指令虽然没有明确规定但也包含了反向工程布图设计应该具有一定先进性的意思在字里行间。综合以上规定,我们可以知道,不管上述规定的文字表述是怎样的,都包含这样一种意思,即反向工程所得布图设计(以下称第二布图设计)与原布图设计(以下称第一布图设计)相比都应具有一定的先进性,只有具有该先进性,反向工程才能成立。最本质上就是,第二布图设计与第一布图设计相比必须具有一定技术上的进步,如集成度提高、功能改进、性能优化等。
  
  下面我们对第二布图设计的先进性进行分析。
  
  在著作权法中,一个作品要受到法律保护的前提是该作品是作者原创的,即该作品具有原创性,不是作者抄袭的,而不管这个作品的创作质量是怎么样的,创作质量高,著作权法保护,创作质量不高甚至很差,但只要是作者原创,著作权法也保护。在布图设计中,法律显然不会保护技术更落后的布图设计,法律在这里的价值就是促进技术的进步,所以法律只保护技术先进的布图设计,所以,布图设计的先进性要高于著作权法的原创性。
  
  在专利法中,一个专利要受到专利法的保护必须具有新颖性、创造性、和实用性,只有具有这三性,才能受到专利法的保护。那布图设计的先进行要不要达到专利法中的创造性的高度呢。在布图设计中,设计布图设计其实是要受到很多限制的,如要受到材料、物理定律、制造工艺等等方面的限制,有些布图设计,不管谁来设计都只能把元件那样摆放、线路那样连接,而且很多第二布图设计与第一布图设计比较起来,只是集成度的提高,而且这种手段也是本领域技术人员常规手段,只是该设计人经过多次实验,终于设计成功,该设计不具有突出的实质性特点和显著的进步,不具有非显而易见性,从而,不具有专利法要求的创造性。而且,很多第二布图设计只是很多的常规设计的组合,达不到非显而易见性,所以,如果要求布图设计的先进性必须达到专利法要求的创造性,将导致很多布图设计得不到法律的保护,不利于技术的进步,所以,布图设计的先进性又要低于专利法中的创造性。
  
  综上,我们的结论是:著作权法中的原创性﹤第二布图设计的先进性(独创性)﹤专利法中的创造性。只有明确以上观念,实践中,法院在审理布图设计侵权案中对反向工程的成立标准—第二布图设计具有一定的先进性(独创性)才能有内心的正确判断。才能做出正确的判决,才能更好地保护集成电路产业的健康、快速发展。